TEM analysis on r-SnO2!
ルチル型 GeO2 の転位密度を調べた高根(D3)らの研究成果がApplied Physics letter誌に掲載されました！おめでとうございます！Rutile-type GeO2 (r-GeO2) with an ultrawide bandgap of ∼4.7 eV has emerged as a promising material for next-generation power-electronic and optoelectronic devices. We performed transmission electron microscopy (TEM) observation to analyze the structural properties of r-GeO2 film on r-TiO2 (001) substrate at an atomic level. The r-GeO2 film exhibits a threading dislocation density of 3.6 × 109 cm−2 and there exist edge-, screw-, and mixed-type dislocations in the film as demonstrated by two-beam TEM. The edge-type dislocations have Burgers vectors of [100] and/or [110]. The bandgap of the r-GeO2 film is 4.74 ± 0.01 eV as determined by electron energy loss spectroscopy./ 約 4.7 eV の超ワイドバンドギャップを持つルチル型 GeO2 (r-GeO2) は、次世代のパワーエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイス用の有望な材料として浮上しています。r-TiO2 (001) 基板上の r-GeO2 膜の構造特性を原子レベルで分析するため、透過型電子顕微鏡 (TEM) 観察を行いました。r-GeO2 膜は、3.6 × 109 cm−2 の貫通転位密度を示し、2 ビーム TEM で示されるように、膜内に刃状転位、らせん転位、混合型転位が存在します。刃状転位のバーガースベクトルは [100] および/または [110] です。r-GeO2 膜のバンドギャップは、電子エネルギー損失分光法で決定したところ 4.74 ± 0.01 eV です。
Hitoshi Takane, Shinya Konishi, Ryo Ota, Yuichiro Hayasaka, Takeru Wakamatsu, Yuki Isobe, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka; Transmission electron microscopic study on rutile-type GeO2 film on TiO2 (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 18 November 2024; 125 (21): 212102. https://doi-org.kyoto-u.idm.oclc.org/10.1063/5.0236711